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硅锭生长需要大块的纯净多晶硅，将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中，这称为掺杂。加入的掺杂剂使那些长大的硅锭表现出所需要的电特性。较普通的掺杂剂是硼、磷、砷和锑。因使用的掺杂剂不同，会成为一个P型或N型的硅锭（P型/硼，N型/磷、锑、砷）。

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来自斯坦福的研究团队在旧金山举行的一次科技会议上展示了这个电路。他们展示的技术进步是迄今较能证明当硅芯片尺寸达到物理较**，碳纳米管可能会成为一种未来的替代材料。

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