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 2、 去除损伤层：

   硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。

在标准测试环境下进行测试：STC条件：1000w/m2，AM1.5，温度25oC±2 oC。

校准程序须严格按照作业指导书进行操作， 组件标贴符合设计要求，字迹清晰，印刷清洁包装控制点主要表现在：对组件背面缺胶的现象必须要很敏感，正面刮胶与清洁必须做到没有赃物附着在玻璃上面。

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